Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107

Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107
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25 - 49 0.86€ 1.05€
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Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107. Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 120mA. Idss (massimo): 30nA. Rds sulla resistenza attiva: 15 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 85pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 2A. Marcatura sulla cassa: BS107. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Prodotto originale del produttore Diodes Inc.. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.

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BS107ARL1G

BS107ARL1G

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-92, 1, 200V, 250mA, TO-92, 200V. Alloggiamento: saldatura P...
BS107ARL1G
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-92, 1, 200V, 250mA, TO-92, 200V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): 1. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BS107A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: MOSFET (DS).. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V
BS107ARL1G
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-92, 1, 200V, 250mA, TO-92, 200V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): 1. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BS107A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: MOSFET (DS).. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V
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BS107
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BS107
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MOR1WS-100K

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Resistenza, 100k Ohms, 1W. Resistenza: 100k Ohms. Potenza: 1W. Tipo di resistore: strato metallico. ...
MOR1WS-100K
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1-5KE120A

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Dissipazione massima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]: 1500W @ 1ms. Campo di temperatura di funzionamento...
1-5KE120A
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Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 200...
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PP-1920

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Materiale: FR2. Foglio di plastica: lato singolo, 3 cuscinetti di saldatura, spessore rame 35um. Pas...
PP-1920
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PP-1920
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Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 120...
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Resistenza, 1M Ohms, 1W. Resistenza: 1M Ohms. Potenza: 1W. Tipo di resistore: strato metallico. Nume...
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Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica)...
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