Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V - 2SK3936

Transistor a canale N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V - 2SK3936
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3 - 4 15.93€ 19.43€
5 - 9 15.42€ 18.81€
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Transistor a canale N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V - 2SK3936. Transistor a canale N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 4250pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 380 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 92A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (MACH-II-MOS VI). Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

Documentazione tecnica

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STW20NK50Z

STW20NK50Z

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 30, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Alloggiamento:...
STW20NK50Z
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 30, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): 30. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 500V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W20NK50Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
STW20NK50Z
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 30, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): 30. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 500V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W20NK50Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
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