Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V - 2SK4108

Transistor a canale N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V - 2SK4108
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Transistor a canale N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V - 2SK4108. Transistor a canale N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.21 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 3400pF. Costo): 320pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 80A. ID (min): n/a. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 280 ns. Td(acceso): 130 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (MOS VI). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

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TK20J50D

TK20J50D

Transistor a canale N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Ids...
TK20J50D
Transistor a canale N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2600pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. Marcatura sulla cassa: K20J50D. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS ad effetto di campo (MOSVII). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
TK20J50D
Transistor a canale N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2600pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. Marcatura sulla cassa: K20J50D. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS ad effetto di campo (MOSVII). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (...
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Transistor a canale N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 1...
TK6A60D
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Transistor a canale N, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massim...
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