Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.04€ | 4.93€ |
5 - 9 | 3.84€ | 4.68€ |
10 - 24 | 3.71€ | 4.53€ |
25 - 49 | 3.63€ | 4.43€ |
50 - 99 | 3.55€ | 4.33€ |
100+ | 3.35€ | 4.09€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.04€ | 4.93€ |
5 - 9 | 3.84€ | 4.68€ |
10 - 24 | 3.71€ | 4.53€ |
25 - 49 | 3.63€ | 4.43€ |
50 - 99 | 3.55€ | 4.33€ |
100+ | 3.35€ | 4.09€ |
Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - 2SK2662. Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 780pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed Switching, Zener-Protected. Protezione GS: sì. Id(imp): 20A. Marcatura sulla cassa: K2662. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo (TT-MOS V). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.
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