Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.89€ | 2.31€ |
5 - 9 | 1.79€ | 2.18€ |
10 - 24 | 1.70€ | 2.07€ |
25 - 49 | 1.60€ | 1.95€ |
50 - 99 | 1.57€ | 1.92€ |
100 - 134 | 1.43€ | 1.74€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.89€ | 2.31€ |
5 - 9 | 1.79€ | 2.18€ |
10 - 24 | 1.70€ | 2.07€ |
25 - 49 | 1.60€ | 1.95€ |
50 - 99 | 1.57€ | 1.92€ |
100 - 134 | 1.43€ | 1.74€ |
Transistor a canale N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V - IRF2807. Transistor a canale N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 13m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 3850pF. Costo): 610pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 280A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 18:25.
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