Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.9A/-4.2A - IRF7389PBF

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.9A/-4.2A - IRF7389PBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.9A/-4.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7389. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.1 ns/13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26/34 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 650/710pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.