FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 0.10 Ohms, TO-220, 60V. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 60V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 7A. Potenza: 50W

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 24A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS132. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 42V, 0.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: sì. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 38us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45us. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.78W. Famiglia di componenti: low-side MOSFET. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 42V, 0.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: sì. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 38us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45us. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.78W. Famiglia di componenti: low-side MOSFET. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), TO-263/5, 42V, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: TO-263/5. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 5. Marcatura del produttore: BTS410E2. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 125us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 85us. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 45V, 1.4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS4141N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 150us. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 42V, 11A, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Rds sulla resistenza attiva: 38m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-5-11. RoHS: sì. Marcatura del produttore: BTS432E2. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 300us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80us. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 5. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 42V, 11A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK/5. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS432E2-SMD. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 300us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80us. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK/5. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 200us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250us. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK/7, TO-263, 18V, 40A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK/7. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: S50010E. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), P-DSO-12, 40V, 2.4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: P-DSO-12. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 12:1. Marcatura del produttore: BTS5210L. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 250us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270us. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), P-DSO-12, 40V, 3.7A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: P-DSO-12. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 12:1. Marcatura del produttore: BTS5215L. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 250us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270us. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK/7, TO-263, 34V, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK/7. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS611L1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 400us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 400us. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK/5, TO-252, 38V, 7A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK/5. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS6142D. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 600us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 600us. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), P-DSO-20, 34V, 2.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: P-DSO-20. Tensione drain-source Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BTS721L1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 400us. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 400us. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 30 milliOhms, SO, PG-DSO20. Rds sulla resistenza attiva: 30 milliOhms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-DSO20. Funzione: "Interruttore di alimentazione intelligente sul lato alto". Uscita: 2db N-MOS 43V 5.5A. Numero di terminali: 20. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). VCC: 5...34V

Transistor a canale N, 7.5A, 13.5A, 13.5A, 0.12 Ohms, 50V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (massimo): 13.5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Voltaggio Vds(max): 50V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tecnologia: V-MOS. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 20uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 750pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. ID (min): 2uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 10 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 61A, 75A, 1uA, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V, 0.009 Ohms. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-404. Voltaggio Vds(max): 55V. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. C(in): 2230pF. Costo): 510pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 62 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 347A. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 166W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 84 ns. Td(acceso): 18 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 54A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 17m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-404. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1200pF. Costo): 290pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 217A. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 118W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 15 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 14A, 20A, 500uA, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V, 0.064 Ohms. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-78 ( TO220AB ). Voltaggio Vds(max): 55V. Rds sulla resistenza attiva: 0.064 Ohms. C(in): 440pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 81A. ID (min): 0.05uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Settore automobilistico, commutazione di potenza, motore da 12 V e 24 V. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Rds sulla resistenza attiva: 0.018 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO263-3-2. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1220pF. Costo): 410pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS, PowerMosfet. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 19A, 30A, 100uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AC, 50V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Voltaggio Vds(max): 50V. C(in): 1500pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 42A. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. Voltaggio Vds(max): 50V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Tecnologia: V-MOS. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 22A, 39A, 39A, 40m Ohms, 50V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 39A. Idss (massimo): 39A. Rds sulla resistenza attiva: 40m Ohms. Voltaggio Vds(max): 50V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Tecnologia: V-MOS S/L. Nota: 250/500ns. Quantità per scatola: 1