FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.041 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 3090pF. Costo): 630pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP TV, AC/DC Converter. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 236A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 392W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 44.2A. ID (T=25°C): 69A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.034 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 3570pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 210 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP TV, AC/DC Converter. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 276A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 480W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 95 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0087 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263AB. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 1970pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SUPERSOT-6, 8V, 1.5A/1.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SUPERSOT-6. Tensione drain-source Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FDD5690. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 24 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1110pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0088 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 25 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V

Transistor a canale N, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. Idss (massimo): 59A. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 1400pF. Costo): 317pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 26 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 100A. Marcatura sulla cassa: FDD6635. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 8.2M Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 5070pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 100A. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 69 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 0.8V

Transistor a canale N, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. ID (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 61m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 575pF. Costo): 64pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56.4 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 36A. ID (min): 1uA. Nota: High performance trench technology. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 56.8W. RoHS: sì. Spec info: resistenza RDS(on) estremamente bassa. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15.8 ns. Td(acceso): 10.3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.085 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 1970pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 22 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, inverter, alimentatori. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 100A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: FDD8447L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 880pF. Costo): 195pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 23 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Protezione GS: NINCS. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.2V

Transistor a canale N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-3. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 6000pF. Costo): 820pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori di tensione DC/DC e inverter UPS. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 500V, 45A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FDH45N50F. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 140 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 215 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6630pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 7.5A, 7.5A, SMD, Power-56-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (massimo): 7.5A. Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): Power-56-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 2. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: transistor MOSFET a doppio canale N, 30 V, "MOSFET PowerTrench"

Transistor a canale N, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2200pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 72A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 235W. RoHS: sì. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: N-Channel MOSFET (UniFET). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 56A, 79A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 79A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 5870pF. Costo): 615pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 105 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori di tensione DC/DC e inverter UPS. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 6000pF. Costo): 820pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori di tensione DC/DC e inverter UPS. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 61A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 2880pF. Costo): 3990pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 62 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori di tensione DC/DC e inverter UPS. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.46 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 945pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 315 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: sì. Id(imp): 46A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. RoHS: sì. Spec info: Carica gate bassa (tipica 23nC), Crss basso 14pF. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: UniFET TM II MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.15 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 480pF. Costo): 66pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. RoHS: sì. Spec info: Carica gate bassa (tipico 11nC), Crss basso 5pF. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 720pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 20A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.5W. RoHS: sì. Spec info: Carica gate bassa (tipica 12nC), Crss basso 9pF. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 13A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS6670A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 64 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2220pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 9.8m Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1205pF. Costo): 290pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del livello logico. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 8.2A/6.9A, 8.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Custodia (standard JEDEC): 8.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS6900AS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 570pF/600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 6A/6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS6912. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 740pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C