FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 50A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFP50N06. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 37 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2020pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 131W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 70A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFP70N06. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2250pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 20A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 178W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET

Transistor a canale N, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 2.5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.074 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TSMT3. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione di potenza, convertitori DC/DC. Id(imp): 10A. Nota: serigrafia/codice SMD QY. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N-Ch MOS FET

Transistor a canale N, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 20uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 80V. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 12.5 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0155 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: MOSFET di potenza a commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40Ap. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 4800B. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.8V

Transistor a canale N, 90A, Altro, Altro, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 5000pF. Costo): 720pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT ad alta potenza. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 150A. Nota: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Numero di terminali: 7. RoHS: sì. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(spento): 450 ns. Td(acceso): 30 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V

Transistor a canale N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 1150pF. Costo): 120pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 280 ns. Funzione: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Corrente del collettore: 46A. Ic(impulso): 84A. Marcatura sulla cassa: K25N120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 313W. RoHS: sì. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 730 ns. Td(acceso): 45 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 3.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V

Transistor a canale N, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 560V. C(in): 750pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 22.8A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 08N50C3. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 785pF. Costo): 33pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 18A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 06N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.56 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1100pF. Costo): 46pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: 08N60C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 10N10. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 426pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 11A. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos

Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 51A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: SPP17N80C2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V

Transistor a canale N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO220-3-1. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 2400pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 62.1A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 20N60C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 67 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 55V, 80A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N06L11. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 68 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2650pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 158W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 650V, 20.7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N60C3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.9V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 208W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.115 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 470pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 52A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D10NF10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza STRipFET™ II a bassa carica del gate. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-3. Voltaggio Vds(max): 525V. C(in): 545pF. Costo): 45pF. Tipo di canale: N. Numero di canali: 1. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione, carica gate ridotta al minimo, IDSS basso. Protezione GS: sì. Id(imp): 17.6A. ID (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: 5N52K3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: Enhancement type. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.25 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-3. Voltaggio Vds(max): 525V. C(in): 529pF. Costo): 71pF. Tipo di canale: N. Numero di canali: 1. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione, carica gate ridotta al minimo. Protezione GS: sì. Id(imp): 17.6A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 5N52U. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: Enhancement type. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23.1 ns. Td(acceso): 11.4 ns. Tecnologia: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 790pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 52A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 13NM60N. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220FP, 1 kV, 3.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F5NK100Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1154pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 610pF. Costo): 65pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: variatore di luce, relè statico, driver del motore. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 100A. Marcatura sulla cassa: GF10NB60SD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Spec info: Bassa caduta di tensione (VCE(sat)). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 1.2 ns. Td(acceso): 0.7 ns. Tecnologia: PowerMESH IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.35V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V