Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.24€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.18€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.15€ |
25 - 49 | 0.92€ | 1.12€ |
50 - 99 | 0.90€ | 1.10€ |
100 - 109 | 0.80€ | 0.98€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.24€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.18€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.15€ |
25 - 49 | 0.92€ | 1.12€ |
50 - 99 | 0.90€ | 1.10€ |
100 - 109 | 0.80€ | 0.98€ |
Transistor a canale N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V - STD10NF10. Transistor a canale N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.115 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 470pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 52A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D10NF10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza STRipFET™ II a bassa carica del gate. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.
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