Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.44€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.38€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.31€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.23€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.20€ |
100 - 249 | 0.70€ | 0.85€ |
250 - 5853 | 0.66€ | 0.81€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.44€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.38€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.31€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.23€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.20€ |
100 - 249 | 0.70€ | 0.85€ |
250 - 5853 | 0.66€ | 0.81€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A - SQ2348ES-T1_GE3. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 01:25.
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