FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 24m Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 4800pF. Costo): 1020pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 160 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 225A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.5V

Transistor a canale N, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2770pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 240A. ID (min): 2uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: TrenchT2TM Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 40m Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 300V. C(in): 6300pF. Costo): 950pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 220A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 96 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V

Transistor a canale N, 8 Ohms, TO-92, TO-92, 25V. Rds sulla resistenza attiva: 8 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 160pF. Costo): 35pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Protezione GS: NINCS. ID (min): 100mA. IGF: 50mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 5 ns. Td(acceso): 6 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 0.7V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.5V

Transistor a canale N, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 4.5pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Uni sym. Protezione GS: NINCS. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafia/codice SMD 61S. Marcatura sulla cassa: 61 S. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 3.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V

Transistor a canale N, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 60mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 25V. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: amplificatore, oscillatore e mixer VHF/UHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 24mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafia/codice SMD 6T. Marcatura sulla cassa: 6T. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor a canale N, SOT-23, saldatura PCB (SMD), TO-236AB, 50V, 0.22A. Alloggiamento: SOT-23. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: JD. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.6V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 16 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W

Transistor a canale N, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 410pF. Costo): 114pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55.7 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 45A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Spec info: Transistor con controllo a livello logico. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-264, 100V, 100A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MTY100N10E. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 96 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 372 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 10640pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 1.7A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDS355AN_NL. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 195pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.084 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. Nota: serigrafia/codice SMD 55094G. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET

Transistor a canale N, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.089 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 316pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 35 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: livello logico, ID impulso 45A/10us. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 45A. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD 55L104G. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 9.2 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSOP-6. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 510pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 20 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: applicazioni per batterie agli ioni di litio, PC notebook. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 446. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) min.: 0.6V

Transistor a canale N, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-3L, CASE 340CX. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 4416pF. Costo): 296pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, convertitore CC/CC, inverter Boost. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 472A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 503W. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 19V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. Idss (massimo): 104A. Rds sulla resistenza attiva: 2.9m Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8FL. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 208A/10ms. Id(imp): 208A. Nota: serigrafia/codice SMD 4835N. Marcatura sulla cassa: 4835N. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 63W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET

Transistor a canale N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). ID (T=25°C): 50A. Ids: 50uA. Idss (massimo): 50A. Rds sulla resistenza attiva: 5.1M Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 (D2PAK). C(in): 2780pF. Costo): 641pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 34 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo

Transistor a canale N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 50A. Rds sulla resistenza attiva: 15m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 1200pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 150A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo

Transistor a canale N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 75A. Rds sulla resistenza attiva: 5M Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 170A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo

Transistor a canale N, 45A, 45A, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 25V. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 45A. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 25V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor di potenza ad effetto di campo, Controllo del livello logico. Id(imp): 180A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 86W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: TrenchMOS transistor

Transistor a canale N, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 8.7A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS SOT78

Transistor a canale N, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 13.9m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK (SOT404). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3195pF. Costo): 221pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 52 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione standard. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 272A. ID (min): 0.06uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52.5 ns. Td(acceso): 20.7 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 30 milliOhms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 4720pF. Costo): 456pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 118 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 200A. ID (min): 0.05uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 79 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 30pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Protezione GS: NINCS. Id(imp): 21.9A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 07N65C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: MegaFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 53W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziamento"