FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 9.8m Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1205pF. Costo): 290pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: controllo del livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 8.2A, 30 v, 8.2A/6.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): 8.2A. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS6900AS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 570pF/600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 6A/6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS6912. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 740pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 19m Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 475pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 5 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 5.4A, SO, SO-8. ID (T=100°C): 5.4A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 15 ns. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.030 Ohms. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 25V, 0.22A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 301. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 301. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 8 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 9.5pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 25V, 0.68A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 303. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. C(in): 2915pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 47ms. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 104 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT . Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: inverter solare, UPS, stazione di saldatura, PFC, telecomunicazioni, ESS. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2-PAK. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 940pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 60A. Marcatura sulla cassa: FGB20N60SF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 12 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 2. Funzione: inverter solare, UPS, saldatrice, PFC. Nota: Transistor MOS IGBT a canale N. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 2110pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Marcatura sulla cassa: FGH40N60SFD. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 115 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1880pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 70 ns. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Pd (dissipazione di potenza, massima): 349W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 92 ns. Td(acceso): 12 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Funzione: inverter solare, UPS, stazione di saldatura, PFC, telecomunicazioni, ESS. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 2110pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 112 ns. Td(acceso): 24 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 2820pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 47 ns. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: FGH60N60SFD. Pd (dissipazione di potenza, massima): 378W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 134 ns. Td(acceso): 22 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 2820pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: FGH60N60SF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 378W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 134 ns. Td(acceso): 22 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 2915pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: FGH60N60SMD. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 18 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 25A, Altro, Altro, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 1.45pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 39A. Ic(impulso): 50A. Dimensioni: 56.7x48x12mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 175W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.46 ns. Td(acceso): 0.08 ns. Tecnologia: Modulo ibrido IGBT. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.25V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.2V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Funzione: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Numero di terminali: 33dB. Nota: 7x IGBT+ CE Diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.93 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2150pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 730 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: FQA10N80C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 240W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-3PN, 900V, 11A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA11N90C. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-3PN, 900V, 11A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA11N90C_F109. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-3PN, 900V, 11.4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA 11N90. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 140 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 340 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.43 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 218W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 43 nC). Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-3PN, 800V, 12.6A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 1. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 800V. Custodia (standard JEDEC): 1. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA13N80. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 320 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 155 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 2800pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 420 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 74A. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 65 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.156 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 3500pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 96A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 80 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 90 nC). Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 4200pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 470 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 94A. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 90 nC). Protezione GS: NINCS