FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Ids: 0.01mA. Idss (massimo): 62A. Rds sulla resistenza attiva: 12.5m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 33V. C(in): 1330pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: completamente protetto. Protezione GS: sì. Id(imp): 248A. Marcatura sulla cassa: P62NS04Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v

Transistor a canale N, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0115 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 240A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P65NF06. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 905pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 445 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione GS: sì. Id(imp): 24A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V

Transistor a canale N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 6.5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PowerMesh

Transistor a canale N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1138pF. Costo): 122pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 530 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Protezione GS: sì. Id(imp): 20.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P7NK80ZFP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vgs(esimo) min.: 3.75V

Transistor a canale N, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 910pF. Costo): 125pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 238 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protezione GS: sì. Id(imp): 28.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK50ZFP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 50mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protezione GS: sì. Id(imp): 40A. ID (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: W13NK60Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. C(in): 2030pF. Costo): 210pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 500V, 17A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W20NK50Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 500V, 20A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W20NM50FD. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1380pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 214W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1450pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 510 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W20NM60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 3800pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 508 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 180A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: W45NM60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 417W. RoHS: sì. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2600pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. Marcatura sulla cassa: K20J50D. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS ad effetto di campo (MOSVII). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 58 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 7150pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 136W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), PDFN56, 60V, 104A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 56 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6870pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 136W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 0.47A. Idss (massimo): 0.47A. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB35N07-E. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 200 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 800 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

Transistor a canale N, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (massimo): 75uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 45V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (min): 30uA. Nota: serigrafia/codice SMD 1NV04P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 70V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNP10N07-E. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 900ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 650V, 38A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 53 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 193 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2940pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 277W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET