FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 480pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 54 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 17nC, Crss basso 5,6pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 62.8A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 543pF. Costo): 54pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 642 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 13nC, Crss basso 5,5pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 12A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 22.5 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 740pF. Costo): 65pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 17nC, Crss basso 5,6pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 16A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 47W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.14 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 480pF. Costo): 80pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 263 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 18nC, Crss basso 15pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 18A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.57 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1290pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 26.4A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 56W. RoHS: sì. Spec info: carica gate bassa (tipica 40nC), Crss basso 10pF. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 3170pF. Costo): 1150pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 17nC, Crss basso 5,6pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 212A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, ITO-220, 1, 600V, 7.6A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220. Custodia (standard JEDEC): 1. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQPF8N60C. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 45 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 170 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1255pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 81 ns. Td(acceso): 16.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.29 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1580pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 690 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Protezione GS: NINCS. Data di produzione: 201432. Id(imp): 32A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 790pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 28nC, Crss basso 24pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 36A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 93 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: interruttore rapido, carica gate bassa 40nC, Crss basso 14pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 32A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. RoHS: sì. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 9.3 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 130pF. Costo): 19pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FQT1N60C. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 7 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 240pF. Costo): 36pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 3.4A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.046 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 480pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 54 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Livello logico. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 68.8A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. RoHS: sì. Spec info: Carica gate bassa (tipicamente 9,5 nC). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1500pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: sì. Id(imp): 30A. ID (min): na. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ifsm--30App. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor a canale N, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 36A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Power MOSFET

Transistor a canale N, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 36A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Power MOSFET

Transistor a canale N, 75A, Altro, Altro, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 5300pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: ICRM 150A Tp=1ms. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 150A. Nota: 6x IGBT+ CE Diode. Marcatura sulla cassa: FS75R12KE3G. Numero di terminali: 35. Dimensioni: 122x62x17.5mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 355W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42us. Td(acceso): 26us. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.15V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V

Transistor a canale N, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 1.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1380pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH-SPEED SW.. Protezione GS: sì. Id(imp): 21A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 1200A, Altro, Altro, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 74pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: ICRM--Tp=1mS 2400A. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 1790A. Ic(impulso): 2400A. Numero di terminali: 7. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7150W. RoHS: NINCS. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.92 ns. Td(acceso): 0.41 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione di soglia Vf (max): 2.35V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.8V

Transistor a canale N, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.3m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 1800pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione di potenza, convertitori DC/DC. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 200A. ID (min): n/a. Marcatura sulla cassa: G60N04K. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 6.5 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.1V

Transistor a canale N, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor con controllo a livello logico. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. RoHS: sì. Spec info: IDM--80A pulse. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P( GCE ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: Commutazione dell invertitore di risonanza di corrente . Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 100A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 400 ns. Td(acceso): 30 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.1V

Transistor a canale N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 4650pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta potenza. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 60A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.3 ns. Td(acceso): 0.09 ns. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.45V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V