FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor con controllo a livello logico. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IDM--80A pulse. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P( GCE ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Tipo di canale: N. Funzione: Commutazione dell invertitore di risonanza di corrente . Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 400 ns. Td(acceso): 30 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.1V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 4650pF. Tipo di canale: N. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta potenza. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 60A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.3 ns. Td(acceso): 0.09 ns. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.45V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Alloggiamento: TO-3P( N )IS. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Tipo di canale: N. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta potenza. Corrente del collettore: 37A. Ic(impulso): 100A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.51 ns. Td(acceso): 0.33 ns. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 35A. Ic(impulso): 80A. Marcatura sulla cassa: 10N120BND. Pd (dissipazione di potenza, massima): 298W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: Transistore IGBT serie NPT con diodo iperveloce antiparallelo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.8V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 23A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 23A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Data di produzione: 2014/17. Corrente del collettore: 54A. Ic(impulso): 96A. Marcatura sulla cassa: 12N60A4D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 96 ns. Td(acceso): 17 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.6V. Numero di terminali: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Tipo di canale: N. Funzione: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente del collettore: 24A. Ic(impulso): 96A. Marcatura sulla cassa: G12N60C3D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 270 ns. Td(acceso): 14 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 160A. Marcatura sulla cassa: G20N60B3D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 165W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Spec info: Tempo di caduta tipico 140ns a 150°C. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: SMPS Series IGBT. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 240A. Marcatura sulla cassa: G30N60A4. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 463W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Alloggiamento: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. RoHS: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 240A. Marcatura sulla cassa: 30N60A4D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 463W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 63A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 300A. Marcatura sulla cassa: 40N60A4. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 145 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 25A. Ic(impulso): 40A. Marcatura sulla cassa: 5N120BND. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 182 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Transistore IGBT serie NPT con diodo iperveloce antiparallelo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.8V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 250pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75307D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-252AA ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 250pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75307D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3200pF. Costo): 1170pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 105 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75344 G. Pd (dissipazione di potenza, massima): 285W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3200pF. Costo): 1170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 105 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75344 P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 285W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0115 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3790pF. Costo): 810pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 145 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75645 P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0115 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-252AB ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3790pF. Costo): 810pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 145 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75645 S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.017 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-252AA ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 850pF. Costo): 465pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 58 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 76121D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 30 v, 75A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: HUF76145P3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 110 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 135 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 270W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, Altro, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Tipo di canale: N. Funzione: 6 x IGBT For Power Management. Corrente del collettore: 15A. Nota: driver del motore CA trifase. Frequenza: 20kHz. Numero di terminali: 24. Pd (dissipazione di potenza, massima): 29W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 750 ns. Td(acceso): 600 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, Altro, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Tipo di canale: N. Funzione: 6 x IGBT For Power Management. Corrente del collettore: 20A. Nota: driver del motore CA trifase. Frequenza: 20kHz. Numero di terminali: 24. Pd (dissipazione di potenza, massima): 29W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 650 ns. Td(acceso): 970 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 4620pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: VCEsat molto basso. Corrente del collettore: 140A. Ic(impulso): 225A. Marcatura sulla cassa: G75H603. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 428W. RoHS: sì. Tempo di consegna: KB. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 265 ns. Td(acceso): 31 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.25V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 1165pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 45A. Marcatura sulla cassa: H15R1203. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 254W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 300 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.48V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO247-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 1340pF. Costo): 43pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 90 ns. Funzione: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 60A. Marcatura sulla cassa: H20MR5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 288W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 350 ns. Td(acceso): 260 ns. Tecnologia: TRENCHSTOP TM technology. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.55V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS