FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.11 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3210pF. Costo): 690pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 69 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 290A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Utilizzato per: -55...+175°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v

Transistor a canale N, 71A, 100A, 100A, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 71A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 100A. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Vgs 20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Resistenza in conduzione ultra bassa (Rds)

Transistor a canale N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1900pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 180 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 140A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 41A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 41A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF1310NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F1310NS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. ID (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 24V. C(in): 5790pF. Costo): 3440pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 46 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1412A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 83 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.5m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 7360pF. Costo): 1680pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 71 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 650A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 40V, 202A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 202A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF1404PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 46 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5669pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 333W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.7M Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 4340pF. Costo): 1030pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 750A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 36ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F1404S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 72 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 7360pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.7M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 4340pF. Costo): 1030pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 750A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0046 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 5480pF. Costo): 1210pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 88 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 680A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 55V, 169A, saldatura PCB, TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Marcatura del produttore: IRF1405PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5480pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 330W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3

Transistor a canale N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0037 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 4780pF. Costo): 770pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 600A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0078 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 5600pF. Costo): 890pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tensione di soglia del diodo: 1.3V. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.8M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 6450pF. Costo): 1690pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione rapida, applicazioni automobilistiche. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1080A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.9M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 5110pF. Costo): 1190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione rapida, applicazioni automobilistiche. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 700A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 68 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 13m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 3850pF. Costo): 610pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 280A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 75V, 82A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF2807PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 49 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3820pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 230W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F2807S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 49 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3820pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 230W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (massimo): 260A. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 6320pF. Costo): 1980pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1020A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 7500pF. Costo): 970pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 41 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 680A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRF2907Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 180A. Idss (massimo): 180A. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Voltaggio Vds(max): 75V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3247pF. Costo): 781pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 69 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Tecnologia di processo avanzata". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 390A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V