FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F2807S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 49 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3820pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 230W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (massimo): 260A. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 6320pF. Costo): 1980pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 7500pF. Costo): 970pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 41 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRF2907Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 180A. Idss (massimo): 180A. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Voltaggio Vds(max): 75V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3247pF. Costo): 781pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 69 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Tecnologia di processo avanzata". Id(imp): 390A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 55V, 98A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF3205PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3247pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 250nA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3247pF. Costo): 781pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 69 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Tecnologia di processo avanzata". Id(imp): 390A. ID (min): 25nA. Equivalenti: IRF3205SPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F3205S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3247pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.9m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3450pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Tecnologia di processo avanzata". Id(imp): 440A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 0.0049 Ohm, TO-220AB, 55V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0049 Ohm. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 55V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 75A. Potenza: 170W

Transistor a canale N, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 1300pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 174 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 108A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 43A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0042 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 2400pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 260 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 150A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 71 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 0.042 Ohms, TO-220, 150V. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 150V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 43A. Potenza: 130W

Transistor a canale N, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 23m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3230pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 57A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF3710PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3130pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.025 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3000pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 210 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 180A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 58 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F3710S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3130pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 69A, 110A, 110A, 0.047 Ohms, TO-220, TO-220AB, 20V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 110A. Rds sulla resistenza attiva: 0.047 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 20V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Funzione: td(on) 12ns, td(off) 17ns

Transistor a canale N, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.7M Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 2980pF. Costo): 1770pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 48 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: DC-DC isolato ad alta frequenza. Id(imp): 440A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 17 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0048 Ohm. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 2150pF. Costo): 680pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Buck sincrono ad alta frequenza. Id(imp): 380A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.45V. Vgs(esimo) min.: 1.55V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0059 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 5310pF. Costo): 890pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 93 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRF3808. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 68 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. ID (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204A ). Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2700pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Repetitive Avalanche Ratings. Id(imp): 48A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 180pF. Costo): 81pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 100V, 5.6A, 0.54 Ohms, TO-220, 100V. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 100V. Marcatura del produttore: IRF510PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 43W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 5.6A. Potenza: 43W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C