FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 2589pF. Costo): 77pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Cottura induttiva, applicazioni di commutazione graduale. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 90A. Marcatura sulla cassa: H30R1202. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 390W. RoHS: sì. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 792 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V

Transistor a canale N, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO247-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1350V. C(in): 1810pF. Costo): 50pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Cottura induttiva, Forni a microonde. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 90A. Marcatura sulla cassa: H30PR5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 310 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.95V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V

Transistor a canale N, Altro, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: 6 x IGBT For Power Management. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Nota: driver del motore CA trifase. Frequenza: 20kHz. Equivalenti: Samsung--DC13-00253A. Numero di terminali: 24. Pd (dissipazione di potenza, massima): 27.4W. RoHS: sì. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 800 ns. Td(acceso): 560 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.55V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.05V

Transistor a canale N, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 860pF. Costo): 55pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT ad alta velocità in tecnologia NPT. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 45A. Marcatura sulla cassa: K15T60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 188 ns. Td(acceso): 17 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.05V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V

Transistor a canale N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 1860pF. Costo): 96pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 200 ns. Funzione: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 50A. Ic(impulso): 75A. Marcatura sulla cassa: K25T120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 560 ns. Td(acceso): 50 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.2V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V

Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1630pF. Costo): 107pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 117 ns. Funzione: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Marcatura sulla cassa: K30H603. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 187W. RoHS: sì. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 207 ns. Td(acceso): 21 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V

Transistor a canale N, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V. Ic(T=100°C): 40A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247N. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 2330pF. Costo): 185pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 200 ns. Funzione: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: K40H1203. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 483W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 290 ns. Td(acceso): 30 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.05V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.8V

Transistor a canale N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 116pF. Costo): 2960pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tensione di soglia del diodo: 1.65V. Funzione: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 200A. Marcatura sulla cassa: K50H603. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 333W. RoHS: sì. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 235 ns. Td(acceso): 23 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V

Transistor a canale N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 3140pF. Costo): 200pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 143 ns. Funzione: VCEsat molto basso. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 150A. Marcatura sulla cassa: K50T60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 333W. RoHS: sì. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 299 ns. Td(acceso): 26 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V

Transistor a canale N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 4620pF. Costo): 288pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 182 ns. Funzione: VCEsat molto basso. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 225A. Marcatura sulla cassa: K75T60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 428W. RoHS: sì. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop . Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 330 ns. Td(acceso): 33 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V

Transistor a canale N, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 440pF. Costo): 30pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 19A. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 19A. ID (min): 1uA. Nota: custodia completamente isolata (2500VAC/60s). Marcatura sulla cassa: 6R600E6. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V

Transistor a canale N, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.83 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 785pF. Costo): 33pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 18A. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 18A. ID (min): 10uA. Nota: custodia completamente isolata (2500VAC/60s). Marcatura sulla cassa: 8R1K0CE. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: -20V

Transistor a canale N, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Rds sulla resistenza attiva: 2.1M Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO263-7. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: OptiMOS Power. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 128 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 840pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 313W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 7500pF. Costo): 1900pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 320A. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 4N03L02. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. RoHS: sì. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 62 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Vgs(esimo) massimo: 2.2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.6M Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3400pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 320A. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 2N0607. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2860pF. Costo): 740pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 320A. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 2N0608. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 215W. RoHS: sì. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2360pF. Costo): 610pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 320A. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 2N0609. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.8m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO252-3 ( DPAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 8000pF. Costo): 1700pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 48 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 400A. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 034N06N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 63 ns. Td(acceso): 38 ns. Tecnologia: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0058 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2400pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 350A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 050N03L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 6.7 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 27uA. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1900pF. Costo): 760pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Logic Level, Enhancement mode. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 200A. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: PN03L06. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.2V

Transistor a canale N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. Alloggiamento: TO-262 ( I2-PAK ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-262. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2860pF. Costo): 740pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 320A. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 2N0608. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 215W. RoHS: sì. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, 6m Ohms, PG-SOT223. Rds sulla resistenza attiva: 6m Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-SOT223. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C

Transistor a canale N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): HexSense TO-220F-5. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 130pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Single FET, Dual Source. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 72A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 2800pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, resistenza allo stato di conduzione ultra bassa. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 330A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V