FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 36A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: FQA9N90C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Peso: 4.7g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, saldatura PCB, ITO-3P, 900V, 7.2A, 30, 0.91 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-3P. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Custodia (standard JEDEC): 30. Rds sulla resistenza attiva: 0.91 Ohms. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio Vds(max): 900V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQAF11N90C. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. ID (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.074 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 670pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 62.4A. ID (min): 1uA. Equivalenti: FQD19N10LTM. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.031 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 800pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 96A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 30N06L. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. ID (T=100°C): 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.258 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 220pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Tariffa di gate bassa. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 5.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: FQD7N10L. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 17 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220, 600V, 12A, 1, TO-220, 600V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Custodia (standard JEDEC): 1. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQP12N60C. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 70 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 280 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.142 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 345pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 72 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 51.2A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Peso: 2.07g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 5 ns. Tecnologia: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1800pF. Costo): 245pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 410 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 52A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 195W. RoHS: sì. Spec info: carica gate bassa (tipica 43 nC). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.078 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 600pF. Costo): 165pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 78 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 76A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 19A. Rds sulla resistenza attiva: 0.14 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, td(on)15ns, td(off)135ns. Id(imp): 76A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 139W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET)

Transistor a canale N, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1150pF. Costo): 320pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 132A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 127W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 30.8A. ID (T=25°C): 43.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1400pF. Costo): 425pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 98 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 174A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 146W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. ID (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.033 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 2500pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 182A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 210W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220, 60V, 50A, 1, TO-220, 60V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Custodia (standard JEDEC): 1. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQP50N06. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220, 60V, 52.4A, 1, TO-220, 60V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Custodia (standard JEDEC): 1. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQP50N06L. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 170 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1630pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 121W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Spec info: Livello logico. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 18A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: transistor ad effetto di campo di potenza in modalità potenziamento . Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1420pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 26.4A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.57 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1290pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 650 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 27nC, Crss basso 10pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 26.4A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 3170pF. Costo): 1150pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 300A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 175 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 900V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 45 nC, Crss basso 14 pF. Id(imp): 32A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 205W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: DMOS, QFET

Transistor a canale N, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (massimo): 9.5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.36 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 20nC, Crss basso 40,5pF. Id(imp): 38A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: DMOS, QFET

Transistor a canale N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1515pF. Costo): 185pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 43 nC, Crss basso 20 pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: QFET ® FRFET ® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1220pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 48A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.14 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 830pF. Costo): 195pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 208 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 76A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 135 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v