Transistor a canale N, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V - STP62NS04Z

Transistor a canale N, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V - STP62NS04Z. Transistor a canale N, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Ids: 0.01mA. Idss (massimo): 62A. Rds sulla resistenza attiva: 12.5m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 33V. C(in): 1330pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: completamente protetto. Protezione GS: sì. Id(imp): 248A. Marcatura sulla cassa: P62NS04Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.