Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NC80ZFP

Transistor a canale N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NC80ZFP
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
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2 - 2 23.59€ 28.78€
3 - 4 23.09€ 28.17€
5 - 9 22.59€ 27.56€
10 - 14 22.34€ 27.25€
15 - 19 21.85€ 26.66€
20+ 21.10€ 25.74€
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Transistor a canale N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NC80ZFP. Transistor a canale N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 6.5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PowerMesh. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.

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STP8NK80ZFP

STP8NK80ZFP

Transistor a canale N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID ...
STP8NK80ZFP
Transistor a canale N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione GS: sì. Id(imp): 24.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P8NK80ZFP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
STP8NK80ZFP
Transistor a canale N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione GS: sì. Id(imp): 24.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P8NK80ZFP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
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