Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.47€ | 1.79€ |
5 - 9 | 1.40€ | 1.71€ |
10 - 24 | 1.35€ | 1.65€ |
25 - 49 | 1.32€ | 1.61€ |
50 - 99 | 1.30€ | 1.59€ |
100 - 249 | 1.25€ | 1.53€ |
250 - 363 | 1.21€ | 1.48€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.47€ | 1.79€ |
5 - 9 | 1.40€ | 1.71€ |
10 - 24 | 1.35€ | 1.65€ |
25 - 49 | 1.32€ | 1.61€ |
50 - 99 | 1.30€ | 1.59€ |
100 - 249 | 1.25€ | 1.53€ |
250 - 363 | 1.21€ | 1.48€ |
Transistor a canale N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P75N02LD. Transistor a canale N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 75A. Rds sulla resistenza attiva: 5M Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 170A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Prodotto originale del produttore Niko-semi. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 05:25.
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