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Transistor a canale N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - NDB6030L

Transistor a canale N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - NDB6030L
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SPB56N03L
Transistor a canale N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. ID (T=25°C): 56A. Idss (massimo): 56A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: 56N03L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Quantità per scatola: 1
SPB56N03L
Transistor a canale N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. ID (T=25°C): 56A. Idss (massimo): 56A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: 56N03L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Quantità per scatola: 1
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