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Transistor a canale N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P50N03LD

Transistor a canale N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P50N03LD
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 1.36€ 1.66€
5 - 9 1.29€ 1.57€
10 - 24 1.25€ 1.53€
25 - 49 1.22€ 1.49€
50 - 99 1.20€ 1.46€
100 - 249 1.08€ 1.32€
250 - 435 1.05€ 1.28€
Qnéuantità U.P
1 - 4 1.36€ 1.66€
5 - 9 1.29€ 1.57€
10 - 24 1.25€ 1.53€
25 - 49 1.22€ 1.49€
50 - 99 1.20€ 1.46€
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Transistor a canale N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P50N03LD. Transistor a canale N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 50A. Rds sulla resistenza attiva: 15m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 1200pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 150A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Prodotto originale del produttore Niko-semi. Quantità in stock aggiornata il 28/07/2025, 19:25.

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