Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P50N03LD

Transistor a canale N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P50N03LD
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5 - 9 1.29€ 1.57€
10 - 24 1.25€ 1.53€
25 - 49 1.22€ 1.49€
50 - 99 1.20€ 1.46€
100 - 249 1.08€ 1.32€
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Transistor a canale N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P50N03LD. Transistor a canale N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 50A. Rds sulla resistenza attiva: 15m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 1200pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 150A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Prodotto originale del produttore Niko-semi. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 05:25.

Documentazione tecnica

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IPD50N03S2L-06

IPD50N03S2L-06

Transistor a canale N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK )...
IPD50N03S2L-06
Transistor a canale N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 27uA. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1900pF. Costo): 760pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Logic Level, Enhancement mode. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 200A. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: PN03L06. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.2V
IPD50N03S2L-06
Transistor a canale N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 27uA. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1900pF. Costo): 760pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Logic Level, Enhancement mode. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 200A. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: PN03L06. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.2V
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FDD6635
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FQD30N06L

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FQD30N06L
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VN750PT-E

VN750PT-E

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 75dB. Funzione: AUTOMOTIVE APPLICATION...
VN750PT-E
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SW18002P

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Configurazione: ON-ON. Tipo di interruttore: interruttore a scorrimento. Numero di terminali: 3. Pas...
SW18002P
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SW18002P
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IRF540N

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CFR1-4W-470R

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Resistenza, 470 Ohms, 0.25W. Resistenza: 470 Ohms. Potenza: 0.25W. Tipo di resistore: strato di carb...
CFR1-4W-470R
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CFR0318JT-V1002

CFR0318JT-V1002

Resistenza, 10k Ohms, 0.25W. Resistenza: 10k Ohms. Potenza: 0.25W. Tolleranza: 5%. Resistenza (R): 1...
CFR0318JT-V1002
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Transistor a canale N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) (...
FQD19N10L
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HUF76121D3S

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Transistor a canale N, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. ID (...
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CFR1-4W-1K

CFR1-4W-1K

Resistenza, 1k Ohms, 0.25W. Resistenza: 1k Ohms. Potenza: 0.25W. Tipo di resistore: strato di carbon...
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