Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 19.85€ | 24.22€ |
2 - 2 | 18.85€ | 23.00€ |
3 - 4 | 17.86€ | 21.79€ |
5 - 9 | 16.87€ | 20.58€ |
10 - 14 | 16.47€ | 20.09€ |
15 - 19 | 16.07€ | 19.61€ |
20+ | 15.48€ | 18.89€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 19.85€ | 24.22€ |
2 - 2 | 18.85€ | 23.00€ |
3 - 4 | 17.86€ | 21.79€ |
5 - 9 | 16.87€ | 20.58€ |
10 - 14 | 16.47€ | 20.09€ |
15 - 19 | 16.07€ | 19.61€ |
20+ | 15.48€ | 18.89€ |
Transistor a canale N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V - SKW25N120. Transistor a canale N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 1150pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 280 ns. Funzione: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Corrente del collettore: 46A. Ic(impulso): 84A. Marcatura sulla cassa: K25N120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 313W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 730 ns. Td(acceso): 45 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 3.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 05:25.
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