Transistor a canale N, 90A, Altro, Altro, 600V - SKM100GAR123D

Transistor a canale N, 90A, Altro, Altro, 600V - SKM100GAR123D. Transistor a canale N, 90A, Altro, Altro, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 5000pF. Costo): 720pF. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT ad alta potenza. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 150A. Numero di terminali: 7. RoHS: sì. Td(spento): 450 ns. Td(acceso): 30 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Nota: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 05:25.