Transistor a canale N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V - STD5N52U

Transistor a canale N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V - STD5N52U. Transistor a canale N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.25 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-3. Voltaggio Vds(max): 525V. C(in): 529pF. Costo): 71pF. Tipo di canale: N. Numero di canali: 1. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione, carica gate ridotta al minimo. Protezione GS: sì. Id(imp): 17.6A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 5N52U. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: Enhancement type. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23.1 ns. Td(acceso): 11.4 ns. Tecnologia: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.