Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ34N

Transistor a canale N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ34N
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Transistor a canale N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ34N. Transistor a canale N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 700pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 57 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 100A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 31 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 23/04/2025, 01:25.

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