Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.07€ | 1.31€ |
5 - 9 | 1.02€ | 1.24€ |
10 - 24 | 0.96€ | 1.17€ |
25 - 49 | 0.91€ | 1.11€ |
50 - 77 | 0.89€ | 1.09€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.07€ | 1.31€ |
5 - 9 | 1.02€ | 1.24€ |
10 - 24 | 0.96€ | 1.17€ |
25 - 49 | 0.91€ | 1.11€ |
50 - 77 | 0.89€ | 1.09€ |
Transistor a canale N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRLR120N. Transistor a canale N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.185 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 440pF. Costo): 97pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 35A. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRLR120NTRPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 18:25.
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