Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2905Z

Transistor a canale N, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2905Z
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10 - 24 1.61€ 1.96€
25 - 49 1.52€ 1.85€
50 - 99 1.49€ 1.82€
100 - 249 1.45€ 1.77€
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Transistor a canale N, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2905Z. Transistor a canale N, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 11m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1570pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 22ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 240A. ID (min): 20uA. Equivalenti: IRLR2905ZTRPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 18:25.

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IRLR3705ZPBF

IRLR3705ZPBF

Transistor a canale N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5...
IRLR3705ZPBF
Transistor a canale N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2900pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 21ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 360A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 33 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS
IRLR3705ZPBF
Transistor a canale N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2900pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 21ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 360A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 33 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS
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