Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.28€ | 2.78€ |
5 - 9 | 2.17€ | 2.65€ |
10 - 24 | 2.10€ | 2.56€ |
25 - 49 | 2.05€ | 2.50€ |
50 - 99 | 2.01€ | 2.45€ |
100 - 249 | 1.45€ | 1.77€ |
250 - 4368 | 1.40€ | 1.71€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.28€ | 2.78€ |
5 - 9 | 2.17€ | 2.65€ |
10 - 24 | 2.10€ | 2.56€ |
25 - 49 | 2.05€ | 2.50€ |
50 - 99 | 2.01€ | 2.45€ |
100 - 249 | 1.45€ | 1.77€ |
250 - 4368 | 1.40€ | 1.71€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A - IRF7309TRPBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7309. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22/25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 520/440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 09/06/2025, 03:25.
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