Transistor a canale N, SO, SO-8 - IRF7341

Transistor a canale N, SO, SO-8 - IRF7341. Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 95. Quantità per scatola: 2. Funzione: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 28/07/2025, 19:25.