Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, SO, SO-8 - IRF7341

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Transistor a canale N, SO, SO-8 - IRF7341. Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantità per scatola: 2. Unità di condizionamento: 95. Funzione: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.

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Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tipo di canale: N. Funzione: 2xN-CH 60V. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Quantità per scatola: 2
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Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tipo di canale: N. Funzione: 2xN-CH 60V. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Quantità per scatola: 2
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