Transistor a canale N, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB31N20D

Transistor a canale N, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB31N20D. Transistor a canale N, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.082 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 2370pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS, convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 124A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FB32N20D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.