Transistor a canale N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3006

Transistor a canale N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3006. Transistor a canale N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0021 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 8970pF. Costo): 1020pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 44 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 1080A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 118 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.