Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A - IRF7343PBF

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A - IRF7343PBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7343. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12/22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 740/690pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.