Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A - IRF7832PBF

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A - IRF7832PBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7831. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.32V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4310pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +155°C. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.