Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, D35/B, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/45V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-202, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-202. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, saldatura PCB, D35/B, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.05A, 50V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: TV-IF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: Altezza 9 mm

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V/50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, 5A, 500V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, D35/B, 300mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor Darlington NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Dissipazione massima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, saldatura PCB, M18/J, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M18/J. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 55V/50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/35V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 8A, 400V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/40V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/40V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92S ( SPT SC-72 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: C1710. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220C, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220C. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Dissipazione massima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 15mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 15mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-18, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V/50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W