Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Uscita video. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla Diffusa . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 250V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, 200V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, 35V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 470 MHz. Funzione: UHF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.6A, TO-220, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Funzione: VHF-Tr/E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 35V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 550 MHz. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 300V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Tf(min): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, saldatura PCB, D18/C, 700mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/32V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, saldatura PCB, E-33, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: E-33. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/25V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA940. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 75V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 27 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Pd (dissipazione di potenza, massima): 900mW. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA966. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA968. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 35. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 300V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: VID-L. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 180. Nota: serigrafia/codice SMD BQ. Marcatura sulla cassa: BQ. Numero di terminali: 3. Temperatura: +155°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1037. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 400mV

Transistor NPN, saldatura PCB, P22/U, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: P22/U. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: CSC2342. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Spec info: altezza 5 mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 70. Ic(impulso): 5A. Marcatura sulla cassa: C2500. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor al silicio epitassiale NPN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 450V

Transistor NPN, saldatura PCB, D6/C, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D6/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: hFE 100...200. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.8pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Ic(impulso): 800mA. Nota: 9mm. Marcatura sulla cassa: C2705. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1145. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V