Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - 2SC2500

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - 2SC2500
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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - 2SC2500. Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 70. Ic(impulso): 5A. Marcatura sulla cassa: C2500. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor al silicio epitassiale NPN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 05:25.

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2SD1207

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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB892. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB892. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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