Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO3P-3L. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Diodo BE: NINCS. Costo): 250pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: per amplificatori audio Hi-Fi. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 50. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1386A. Tecnologia: Transistor planare epitassiale NPN. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: Hi-deflect (MONITOR). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: Hi-deflect (MONITOR). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.5A, 80V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Applicazioni di azionamento a bassa frequenza. Nota: hFE 140...280. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1480. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-98, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/18V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-98, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V/30V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, TO-220FP, TO-220F. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Quantità per scatola: 1. Funzione: S-L. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor NPN, 0.2A, 200V. Corrente del collettore: 0.2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: Hi-def. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1476. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-126F, TO-126LP, 30 v. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126LP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Resistenza B: 22. Resistenza BE: 22. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 260 MHz. Funzione: hFE 800. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-98, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-98, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, MF20 TO220F, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): MF20 TO220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Driver per solenoide e motore. Guadagno hFE minimo: 500. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 200V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Marcatura sulla cassa: C3856. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1492. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, 800V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Corrente del collettore: 7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Marcatura sulla cassa: C3886A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.02A, 25V. Corrente del collettore: 0.02A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 450 MHz. Funzione: TV/IF. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA, Hi-res. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: Rbe 60 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, 600V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA, Hi-res. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 8A, 600V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA, Hi-res. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 15A, 800V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA hi-def.. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Spec info: MONITOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 400V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: Applicazioni per driver ad alta tensione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Spec info: hFE 100...200. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 450V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: 500/2200ns. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 600V

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: 2SD4106M. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V