Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Pd (dissipazione di potenza, massima): 900mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA966. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA968

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Basso rumore, amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 350. Marcatura sulla cassa: C2240BL. Temperatura: +125°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA970BL. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Costo): 3pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Marcatura sulla cassa: C224GR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA970GR. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 35. Ic(impulso): 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 300V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: VID-L. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-236, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-236. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Costo): 30pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 3A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta tensione, amplificatore di potenza AF. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1011. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V/100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Costo): 20pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Marcatura sulla cassa: C2383 Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1013. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 180. Marcatura sulla cassa: BQ. Temperatura: +155°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 400mV. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD BQ. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1037. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, P22/U, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: P22/U. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: CSC2342. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: altezza 5 mm

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 70. Ic(impulso): 5A. Marcatura sulla cassa: C2500. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor al silicio epitassiale NPN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 90V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 17A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 17A. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 200V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 450V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, D17/C, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, saldatura PCB, D8/C, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, saldatura PCB, D6/C, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D6/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 1A, 40V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Funzione: hFE 100...200. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.2A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1.2A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 19pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 155 MHz. Funzione: HF. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 2.5A. Marcatura sulla cassa: C2690A Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1220A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS