Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V - 2SC3519A

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V - 2SC3519A
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V - 2SC3519A. Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO3P-3L. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Diodo BE: NINCS. Costo): 250pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: per amplificatori audio Hi-Fi. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 50. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1386A. Tecnologia: Transistor planare epitassiale NPN. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Sanken. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.

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2SC3263

2SC3263

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiame...
2SC3263
Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 250pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1294. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 250pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1294. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
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2SA1306
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Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-...
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16YXF1000MEFC10X20

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Tensione CC: 16V. Capacità: 1000uF. Diametro: 10mm. Durata di vita: 7000 ore. Lunghezza: 20mm. Impe...
16YXF1000MEFC10X20
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2SC3263

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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiame...
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V23072C1061A303

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Voltaggio bobina: 12VDC. Modalità di commutazione: 1SPDT (ON-ON). Numero di terminali: 5. Dimension...
V23072C1061A303
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KSA940

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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Cu...
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