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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC3886A

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC3886A
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC3886A. Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Marcatura sulla cassa: C3886A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Div. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.

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2SC5386

2SC5386

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamen...
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: High Switching, Horizontal Deflection out. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 4.3. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: MONITOR Hi-res. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: High Switching, Horizontal Deflection out. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 4.3. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: MONITOR Hi-res. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggia...
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor di potenza al silicio. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor di potenza al silicio. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiam...
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
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