Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: >1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: TO-220. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP120. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP122. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: silicio. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP127. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(in): TO-220. Costo): 200pF. Diodo CE: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Guadagno hFE massimo: +150°C. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP127G. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP132. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 15000. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP137. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. C(in): TO-247. Costo): 60pF. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor Darlington di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP147. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Darlington monolitico. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor Darlington di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP147T. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Darlington monolitico. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-247. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Nota: transistor complementare (coppia) TIP2955. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Spec info: Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 24. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP32C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 25A, TO-247, TO-247, 100V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-247. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Data di produzione: 1450. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 50A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP36C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 25A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Corrente collettore Ic [A], max.: 25A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP35CG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP42C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corrente del collettore: 18A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ad alta velocità.. Guadagno hFE massimo: 15. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 35A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tf(massimo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Vbe(sat)1.5V. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Spec info: con resistenza di polarizzazione Rbe. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Applicazioni di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori. Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: con resistenza di polarizzazione Rbe. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Applicazioni di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 10A, 800V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, EMT6. Custodia (secondo scheda tecnica): EMT6. Quantità per scatola: 2. Nota: serigrafia/codice SMD H21. Marcatura sulla cassa: H21. Numero di terminali: 6. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: *SMD SO6*

Transistor NPN, EMT6. Custodia (secondo scheda tecnica): EMT6. Marcatura sulla cassa: H9C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: *SMD SO6*. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 6. Nota: serigrafia/codice SMD H9C

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: INFI->PANAS. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: transistor unigiunzione UJT, hi-beta, lo-sat. Guadagno hFE massimo: 1200. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX788. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.03V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX550. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX551. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Corrente del collettore: 300mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V