Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A8A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A8E. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A8K. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.246W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: coppia di transistor complementari. Guadagno hFE minimo: 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP & NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSA42. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 10. Costo): 300pF. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100MHz. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSA06. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, 30 v. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 10000. Guadagno hFE minimo: 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Tecnologia: transistor Darlington. Tf(min): 125 MHz. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 10000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Equivalenti: KSP42. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Corrente del collettore: 0.3A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 7pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 40. Equivalenti: KSP44, CMPSA44. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 400mV. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 750mV. Vebo: 6V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 5mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSH10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 650 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: hFE 25...40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. FT: 100 MHz. Funzione: High hFE. Guadagno hFE massimo: 150000. Guadagno hFE minimo: 25000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 12V

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: transistor con rete di resistori di polarizzazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 60. Nota: Panasonic NV-SD450. Nota: B1GBCFLL0035. Marcatura sulla cassa: 8B. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 338mW. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 8B. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor digitali (BRT). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN. Diodo BE: NINCS. C(in): 9pF. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. C(in): 9pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Data di produzione: 201452 201512. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW1302. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, 60V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementare (coppia) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN. Diodo BE: NINCS. Costo): 135pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Realizzato per Grundig. Pd (dissipazione di potenza, massima): 34W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 600mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P2N2222A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente del collettore: 6.2A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 75. Ic(impulso): 15A. Nota: transistor complementare (coppia) PBSS4041PX. Marcatura sulla cassa: 6F. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Spec info: serigrafia/codice SMD 6F. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 220 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 35mV. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 320mV. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Transistor con resistenza di polarizzazione incorporata. Guadagno hFE minimo: 80. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: *08. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD P08/T08. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistor di commutazione NPN. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: 130.41594. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 15V

Transistor NPN, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 500 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Spec info: serigrafia/codice SMD P1J, T1J. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 15V