Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, 400V, 8A, TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Tensione collettore-emettitore VCEO: 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220AB. Marcatura del produttore: MJE13007G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Potenza: 80W. Frequenza massima: 14 MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 150V. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031G

Transistor NPN, 250V, 8A, TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 250V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz

Transistor NPN, TO-220, 8A, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Tensione collettore-emettitore VCEO: 250V. Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Marcatura del produttore: MJE15032G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 30 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15033

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15035G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: Applicazioni di alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 12:1. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 400us. Tf(min): 70us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE18004G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 13 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 6A, 450V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: SMPS. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Spec info: SWITCHMODE. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. C(in): 1750pF. Costo): 100pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13MHz. Funzione: Applicazioni di alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 34. Ic(impulso): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1000V, 8A, TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1000V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Potenza: 120W

Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 65MHz. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 45. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE210. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Resistenza B: transistor di potenza NPN. Resistenza BE: 100V. C(in): 4A. Costo): 15W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità, Audio. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE253. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE3055T. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: per amplificatori audio HiFi e regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-32. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE340. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 ( TO-225 ), 500V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 0.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 ( TO-225 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L, VID.. Equivalenti: KSE340. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Nota: custodia in plastica. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE340G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Resistenza BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 50. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(min): 2us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 400V, 8A, TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potenza: 100W

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 1000pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE800G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN