Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 14A. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Ic(impulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO–204AE ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Costo): 2.5pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 175W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.6us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Corrente del collettore: 50A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO–204AE ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 4pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Corrente del collettore: 60A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO–204AE ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Costo): 7pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 75...1000. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 4pF. Costo): TO-204AA. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): +200°C. Nota: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11015. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente del collettore: 50A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Guadagno hFE massimo: 18000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11033

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 50A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 50A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ11032G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 20A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15003G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 140V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15004

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Resistenza BE: 70. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Spec info: Motorola. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Resistenza BE: 70. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 10. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 6us. Tf(min): 4us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15016. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15015G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 6 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15023. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 350V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15023. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15025. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 16A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15024G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 16A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ21194G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204AA ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Costo): 2pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ21195. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 30A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 30A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ802G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 90V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), D-PAK, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J44H11. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 85 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), D-PAK, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J44H11. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 85 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DPAK CASE 369C. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 85 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 44H11G. Equivalenti: MJD44H11G, MJD44H11J. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf (tipo): 140 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJD45H11T4G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DPAK CASE 369C. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 85 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 45H11G. Equivalenti: MJD45H11G, MJD45H11J. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf (tipo): 140 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJD45H11T4G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS