Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Corrente del collettore: 0.03A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: FM-V/M/O/IF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Spec info: 12149301860. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Corrente del collettore: 0.03A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: FM-V/M/O/IF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Spec info: 62137301900. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, 30 v. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Nota: hFE 350...700. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Spec info: 0501-000394. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 150mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Piedinatura: 1. C(in): 1.5pF. Costo): 11pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA733. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 150mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Piedinatura: 1. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA733. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 150. Marcatura sulla cassa: D2012-G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) KSB1366. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Spec info: 0.1...0.3us. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 5A, 100V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Spec info: 12149-401-070. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: SD882-Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Modalità interruttore ad alta tensione . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 24A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: Commutazione ad alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 4A, 60V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: b>750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: 0503-000001. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 600mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Marcatura sulla cassa: R1002. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 22k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 22k Ohms. Costo): 100pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: SW. Marcatura sulla cassa: R1003. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Marcatura sulla cassa: R1007. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Nota: 0.3W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, TO-92, TO-92. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Diodo BE: NINCS. Costo): 0.8pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 20mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 800 MHz. Funzione: FM-V/M/O. Guadagno hFE massimo: 198. Guadagno hFE minimo: 40. Marcatura sulla cassa: 15.8k Ohms. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, 3A, 80V. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: hFE 20...90. Nota: T32. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 0.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 11 MHz. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 210V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistore ad alta tensione per CRT a definizione standard. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 0.55pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistore ad alta tensione per CRT a definizione standard. Guadagno hFE massimo: 7.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 10V