Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Tipo di transistor: NPN. Spec info: TO-92M

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Tipo di transistor: NPN. Spec info: TO-92M

Transistor NPN, 0.7A, 140V. Corrente del collettore: 0.7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Costo): 2.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Corrente del collettore: 200mA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: Uscita cromatica TV a colori (VID-L). Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Marcatura sulla cassa: C1507 O. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Corrente del collettore: 200mA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: Uscita cromatica TV a colori (VID-L). Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: C1507 Y. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 3L (AMMO). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: Amplificatore audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 300. Marcatura sulla cassa: C1845. Equivalenti: 2SC1845. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.07V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA992. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 0.7A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Costo): 50pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Uscita di deflessione verticale TV. Guadagno hFE massimo: 125. Guadagno hFE minimo: 60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Costo): 50pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Uscita di deflessione verticale TV. Guadagno hFE massimo: 125. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L (9mm magas). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Marcatura sulla cassa: C2310 O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L (9mm magas). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: C2310 Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 30 v. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Resistenza B: 10. Resistenza BE: 10. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Resistenza B: 10. Resistenza BE: 10. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: 0501-000367. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Spec info: Altezza 9 mm. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Corrente del collettore: 0.7A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 60pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: hFE 120...240. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 60pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 10A. Marcatura sulla cassa: KSC5027 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 60pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 0.1A, TO-126, 900V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 0.1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 900V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Resistenza BE: 10. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Dyn Focus. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: HV switch. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 8A, 800V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Resistenza BE: 10. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 7A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399). Corrente del collettore: 7A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399). Resistenza BE: 10. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: High Switching 0.1us. Guadagno hFE massimo: 22. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 4.2V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Monitor 68KHz. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 90pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA (F). Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5803. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Corrente del collettore: 0.03A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: FM-V/M/O/IF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: 12149301860. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Corrente del collettore: 0.03A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: FM-V/M/O/IF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: 62137301900

Transistor NPN, 0.05A, 30 v. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Nota: hFE 350...700. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: 0501-000394