Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corrente del collettore: 0.03A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 47k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 47k Ohms. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Marcatura sulla cassa: 26. Spec info: serigrafia/codice SMD 26. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 100A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Corrente del collettore: 100A. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Modulo transistor di potenza Darlington NPN. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 300. Ic(impulso): 150A. Nota: Avvitato. Numero di terminali: 4. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225W. RoHS: sì. Spec info: Single Dual Emitter. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Tipo di transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.25V. Vebo: 7V

Transistor NPN, ISOTOP, 84A. Alloggiamento: ISOTOP. Corrente collettore Ic [A], max.: 84A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Configurazione: Avvitato. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: ESM6045DV. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Nota: serigrafato . Marcatura sulla cassa: J6810. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Diodo CE: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Display a colori High V Hor Defl (con diodo smorzatore) . Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Nota: serigrafato J6810. Marcatura sulla cassa: J6810D. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Diodo CE: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 24A. Nota: serigrafato J6812. Marcatura sulla cassa: J6812. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corrente del collettore: 17A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: J4315O. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) FJL4215-O. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Monitor da 19 pollici. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Spec info: VEBO 6V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 300mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: J13007. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 28. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: J13007-1. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 39. Guadagno hFE minimo: 26. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: J13007-2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 17. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J13009. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 28. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J13009-2. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 619. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 165 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: hFE 5000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) FP1016. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 0.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZT458. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 7A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZT849. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 24A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 800V. Corrente del collettore: 24A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA hi-res (F). Ic(impulso): 36A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: 0.17...0.31us. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.95V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 10V

Transistor NPN. Quantità per scatola: 1. Funzione: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR

Transistor NPN. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Funzione: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 47. Guadagno hFE minimo: 29. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Spec info: Transistor planare epitassiale . Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Vebo: 10V