Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 7A, 450V. Corrente del collettore: 7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantità per scatola: 1. Spec info: commutazione ad alta velocità

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220AB CASE 221A-09. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 50pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: SMPS S-L. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 14. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 9V. Quantità per scatola: 1. Spec info: commutazione ad alta velocità. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUL45D2G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 13 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220AB CASE 221A-09. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 50pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: Transistor di potenza NPN bipolare ad alta velocità e alto guadagno. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 22. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.28V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 12V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 4A, 500V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Alta velocità. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Corrente del collettore: 1.2A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 5. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Tf(min): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 200V, 70A, TO-3. Tensione collettore-emettitore VCEO: 200V. Corrente del collettore: 70A. Alloggiamento: TO-3. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 350W

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 4us. Tf(min): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SOT186A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Tf 170ns

Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 23W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: alta tensione, alta velocità

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 4A, 350V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 9 MHz. Funzione: S-L, SN. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 600V. Quantità per scatola: 1. Diodo CE: sì

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 50A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 50A. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV20. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 125V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 CASE 221A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 190V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Progettato per applicazioni ad alta velocità. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. RoHS: sì. Tf(massimo): 150 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 250 ns. Tf(min): 120ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, 150V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, TO-247, 15A, TO-247, 450V, 1000V, 15A. Alloggiamento: TO-247. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1000V. Corrente del collettore: 15A. RoHS: sì. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV48A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8:1. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)

Transistor NPN, 5A, 400V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V. Quantità per scatola: 1. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 5A, TO-3PN, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Quantità per scatola: 1. Funzione: alta tensione, commutazione rapida. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS