Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 250 ns. Tf(min): 120ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 15A, 150V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 15A, TO-247, 450V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV48A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 5A, 400V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: alta tensione, commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, 400V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 10A, 400V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 15A, TO-3PN, 400V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 175W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUX48A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Dissipazione massima Ptot [W]: 175W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 2A, 400V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Funzione: S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 450V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 2A, TO-220, 450V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUX85G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 450V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: S-L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Custodia (standard JEDEC): SOT-82. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUX87P. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Dissipazione massima Ptot [W]: 42W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 25 MHz. Funzione: S-L. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, 2A, 800V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 2200V

Transistor NPN, 10A, 200V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 280V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 130pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: D44H11. Equivalenti: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) D45H11. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf(massimo): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D44H11G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 10A, TO-220, TO-220, 60V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D44H8. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tipo di transistor: NPN. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D44H8G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: S-L, Low-sat. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Spec info: transistor complementare (coppia) D45VH10. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 90 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SC-59. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 10k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 10k Ohms. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: DTR.. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 24. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 24. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 0.2W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 4.7k Ohms. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Transistor con resistenza di polarizzazione incorporata. Guadagno hFE minimo: 200. Nota: serigrafia/codice SMD 33. Marcatura sulla cassa: *33, P33, t33, w33. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Data di produzione: 2014/49. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 18. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V