Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 4A, 400V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: alta tensione, commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: TO-220. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione rapida ad alta tensione, per alimentatori switching. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Commutazione rapida per alimentatori switching. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 6. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 150us. Tf(min): 80us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 13.5. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS S-L. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: commutazione ad alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per l alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 7A, 450V. Corrente del collettore: 7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: commutazione ad alta velocità. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220AB CASE 221A-09. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: SMPS S-L. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 14. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: commutazione ad alta velocità. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 9V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUL45D2G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 13 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220AB CASE 221A-09. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: Transistor di potenza NPN bipolare ad alta velocità e alto guadagno. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 22. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.28V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 12V

Transistor NPN, 4A, 500V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Spec info: Alta velocità. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Corrente del collettore: 1.2A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 5. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Tf(min): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 4us. Tf(min): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SOT186A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Spec info: Tf 170ns. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 23W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: alta tensione, alta velocità. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 4A, 350V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 9 MHz. Funzione: S-L, SN. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 600V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 50A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 50A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BUV20. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 125V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 CASE 221A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 190V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Progettato per applicazioni ad alta velocità. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. RoHS: sì. Tf(massimo): 150 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V