Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, 350V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 33 Ohms

Transistor NPN, 9A, TO-247, TO-247FP, 800V. Corrente del collettore: 9A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 9A, TO-3PF ( SOT399 ), 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 9A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF ( SOT399 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 5.0V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: adatto per alimentare televisori SONY

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 13. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 25A. Nota: Tensione di isolamento 2500V. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Funzione: Commutazione ad alta tensione e ad alta velocità. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit)

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 25A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR. Funzione: TV-HA, hi-res (F)

Transistor NPN, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor di potenza al silicio. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Numero di terminali: 3. Funzione: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Spec info: (F)

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P(H)IS. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 145pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.35us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 12A, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Spec info: SOT199 (F)

Transistor NPN, 12A, 800V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Spec info: SOT399 (F)

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 16A, 800V. Corrente del collettore: 16A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Spec info: 1.4...1.8us

Transistor NPN, 8A, 825V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us

Transistor NPN, 8A, 825V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Quantità per scatola: 1. Spec info: 4.8us

Transistor NPN, 10A, 825V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Nota: MONITOR. Quantità per scatola: 1. Spec info: 7.4us

Transistor NPN, 12A, 1700V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1700V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor di potenza. Tipo di transistor: NPN. Nota: MONITOR 16KHz. Quantità per scatola: 1. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F)