Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 12A, 800V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Spec info: SOT399 (F). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re (F). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 16A, 800V. Corrente del collettore: 16A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: monitorare. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: 1.4...1.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, 825V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 8A, 825V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: 4.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 10A, 825V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: 7.4us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 12A, 1700V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor di potenza. Nota: MONITOR 16KHz. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F). Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 1700V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: MONITOR 16KHz. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.14us. Tipo di transistor: NPN. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7.5V

Transistor NPN, 12A, 825V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: 2.5us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 6A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V/100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 6A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 280V/150V. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220, 200V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 6 MHz. Funzione: TV-HA. Guadagno hFE massimo: 20. Guadagno hFE minimo: 12:1. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 7A, TO-220, 200V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 400V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 175V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W

Transistor NPN, 12A, 375V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 12A, 400V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, 6A, 375V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-SN. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA/Monitor. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA/Monitor. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA/Monitor. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA/Monitor. Guadagno hFE massimo: 7.3. Guadagno hFE minimo: 4.2. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Spec info: Rbe 25 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV/Monitor. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Spec info: CTV-HA (isolato). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 16A, SOT-430, SOT-430, 800V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: SOT-430. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-430. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV/Monitor. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: CTV-HA. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 700V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V