Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Corrente del collettore: 2.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Corrente del collettore: 2.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA SMPS. Nota: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: TO-220F (SOT186). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, saldatura PCB, ITO-218, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-218. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Custodia (standard JEDEC): SOT-199. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BU508AF. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 700V. Dissipazione massima Ptot [W]: 34W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 34W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 34W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, saldatura PCB, ISOWATT-218, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ISOWATT-218. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BU508DFI. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 700V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 7 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 480V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 480V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-SN. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 330V/200V. Dissipazione massima Ptot [W]: 90W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 330V/ 200V. Dissipazione massima Ptot [W]: 90W

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FH. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Spec info: TO-220FH. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Resistenza BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 230. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Resistenza BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 60...230, custodia in plastica isolata. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. Spec info: tempo di caduta 0,8 us. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BU941ZP. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 350V. Dissipazione massima Ptot [W]: 155W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor NPN, 15A, 400V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Nota: >300. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: tempo di caduta 625ns. Guadagno hFE massimo: 3400. Guadagno hFE minimo: 500. Spec info: 360-450V Clamping. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: HV-POWER. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Ic(impulso): 60A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: Transistor di potenza a commutazione rapida ad alta tensione. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tecnologia multi-epitassiale planare ad alta tensione". Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Corrente del collettore: 14A. Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218-ISO. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 7. Ic(impulso): 18A. Nota: hi-res, monitor 19. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: Icmax--18A <5mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218 ( SOT93 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Transistore a commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 22A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Spec info: Icm.22A <5ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Alta risoluzione . Guadagno hFE massimo: 9. Guadagno hFE minimo: 2.5. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. Spec info: MONITOR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: ISOWATT218. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Guadagno hFE massimo: 6. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Spec info: MONITOR. Tf (tipo): 190 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 10A, 700V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. Spec info: Ts 2.1/3.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V